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IS62VV25616LL-85MI 参数 Datasheet PDF下载

IS62VV25616LL-85MI图片预览
型号: IS62VV25616LL-85MI
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内容描述: 256K ×16低电压, 1.8V超低功耗CMOS静态RAM [256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62VV25616LL
256K ×16低电压, 1.8V ULTRA
低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间: 70 , 85 , NS
• CMOS低功耗运行
- 36毫瓦(典型值)的操作
- 9 μW (典型值) CMOS待机
•单1.7V- 2.25 V
DD
电源
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•提供44引脚TSOP ( II型)和
48针微型BGA ( 7.2毫米X 8.7毫米)
ISSI
2002年8月
®
描述
ISSI
IS62VV25616LL是一个高速, 4194304位
静态RAM (16位)组织为262,144字。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量高亮
高性能和低功耗的器件。
对于IS62VV25616LL ,当
CE
高(取消)
or
CE
低,都
LB
UB
高,设备
假设待机模式,在该功率耗散
可以用CMOS输入电平降低了下来。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入,
CE
OE 。
该低电平有效
写使能(WE )控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节( UB )和下
字节( LB )的访问。
该IS62VV25616LL打包在JEDEC标准
44针TSOP ( II型)和48针微型BGA ( 7.2毫米X 8.7毫米) 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
08/07/02
1