IS62WV12816ALL
IS62WV12816BLL
128K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：为45nS ， 55ns ， 70ns的
• CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
- 9 μW （典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单电源供电
– 1.65V--2.2V V
DD
(62WV12816ALL)
– 2.5V--3.6V V
DD
(62WV12816BLL)
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
• 2CS选项可用
•无铅可
ISSI
2005年6月
®
描述
该
ISSI
IS62WV12816ALL / IS62WV12816BLL是高
速度， 2M位静态RAM由16组织为128K字
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1
为低时， CS2为高和两个
LB
和
UB
高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
（ UB ）
和低位字节（LB）
访问。
该IS62WV12816ALL和IS62WV12816BLL包装
在JEDEC标准的48引脚小型BGA封装（ 6× 8毫米）和
44引脚TSOP （II型） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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英文内容
06/08/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
