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IS62WV1288BLL-55HI 参数 Datasheet PDF下载

IS62WV1288BLL-55HI图片预览
型号: IS62WV1288BLL-55HI
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内容描述: 128K ×8低电压,超低功耗CMOS静态RAM [128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 110 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV1288ALL,
IS62WV1288BLL
ISSI
55纳秒
分钟。马克斯。
55
45
45
0
0
40
25
0
5
20
70纳秒
分钟。马克斯。
70
60
60
0
0
50
30
0
5
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
®
写周期开关特性
(1,2)
(以上经营范围)
符号
参数
写周期时间
CS1/CS2
撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
45纳秒
分钟。马克斯。
45
35
35
0
0
35
20
0
5
t
WC
t
SCS1/
t
SCS2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
(3)
t
LZWE
(3)
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时0.9V / 1.5V的参考电平, 0.4V的输入脉冲电平
到V
DD
-0.2V/V
DD
在图1中规定-0.3V和输出负载。
2.内部写入时间由的重叠限定
CS1
低, CS2的高,并
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,但任何一个可以去
不活动的终止写入。数据输入建立和保持定时参照的终止写信号的上升沿或下降沿。
3.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
AC波形
写周期NO 。 1 ( CS1 / CS2
控制,
OE
=高或低)
t
WC
地址
t
SCS1
t
HA
CS1
t
SCS2
CS2
t
AW
t
PWE
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
8
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
06/20/05