IS62WV1288ALL
IS62WV1288BLL
128K ×8低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：为45nS ， 55ns ， 70ns的
• CMOS低功耗运行：
30毫瓦（典型值）的操作
15 μW （典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单电源供电：
1.65V--2.2V V
DD
(62WV1288ALL)
2.5V--3.6V V
DD
(62WV1288BLL)
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•工业应用温度
•无铅可
ISSI
2005年6月
®
描述
该
ISSI
IS62WV1288ALL / IS62WV1288BLL是高
速度， 1M位静态RAM组织为128K字×8
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消）时，器件呈现在待机模式在哪
功耗可以采用CMOS减至
输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
该IS62WV1288ALL和IS62WV1288BLL包装
在JEDEC标准的32引脚TSOP （ TYPEI ） ， sTSOP
（ TYPEI ） ， SOP，和36针微型BGA封装。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
控制
电路
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集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
06/20/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
