IS62WV25616ALL
IS62WV25616BLL
256K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态SRAM
特点
•高速存取时间： 55ns ， 70ns的
• CMOS低功耗运行
36毫瓦（典型值）的操作
9 μW （典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单电源供电
1.65V--2.2V V
DD
(IS62WV25616ALL)
2.5V--3.6V V
DD
(IS62WV25616BLL)
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•无铅可
ISSI
2005年5月
®
描述
该
ISSI
IS62WV25616ALL / IS62WV25616BLL是高
高速，低功耗， 4M位的SRAM组织为256K字
由16位。它是使用制造
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
为高（取消），或者当
CS1
低并且
两
LB
和
UB
高，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS62WV25616ALL / IS62WV25616BLL包装在
JEDEC标准44引脚TSOP （II型）和48针
微型BGA （ 6mmx8mm ） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
