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    IS62WV2568BLL-55HLI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62WV2568BLL-55HLI图片预览
    型号： IS62WV2568BLL-55HLI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM [256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
    文件页数/大小： 14 页 / 74 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS62WV2568BLL-55HLI的Datasheet PDF文件第11页  
    IS62WV2568ALL,
    AC波形
    IS62WV2568BLL
    ISSI
    t
    RC
    ®
    读周期2号
    (1,3)
    （ CS1，CS2，
    OE
    控制）
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    OE
    t
    美国能源部
    t
    HZOE
    CS1
    t
    ACS1/
    t
    ACS2
    t
    LZOE
    CS2
    t
    LZCS1/
    t
    LZCS2
    高-Z
    t
    HZCS
    数据有效
    DOUT
    注意事项：
    1.
    WE
    高一读周期。
    2.该装置被连续地选择。
    OE ， CS1 =
    V
    IL
    。 CS2 = WE = V
    IH
    .
    3.地址之前或重合是有效的
    CS1
    LOW和HIGH CS2过渡。
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    版本B
    06/20/05
    7

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