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IS62WV51216BLL-55TI 参数 Datasheet PDF下载

IS62WV51216BLL-55TI图片预览
型号: IS62WV51216BLL-55TI
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内容描述: 512K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 129 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV51216ALL
IS62WV51216BLL
512K ×16低电压,
超低功耗CMOS静态RAM
ISSI
2005年2月
®
特点
•高速存取时间:为45nS , 55ns
• CMOS低功耗运行
- 36毫瓦(典型值)的操作
- 12 μW (典型值) CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单电源供电
– 1.65V--2.2V V
DD
(62WV51216ALL)
– 2.5V--3.6V V
DD
(62WV51216BLL)
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•无铅可
描述
ISSI
IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL是高
速度, 8M位静态RAM由16组织为512K字
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量高亮
高性能和低功耗的器件。
CS1
高(取消),或者当CS2为低
(取消),或者当
CS1
为低时, CS2为高和两个
LB
UB
高,器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
(WE)
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
( UB )
和低位字节(LB)
访问。
该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL包装
在JEDEC标准的48引脚小型BGA ( 7.2毫米X 8.7毫米)
和44引脚TSOP (II型) 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
02/24/05
1