IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
128K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2006年5月
®
特点
•高速存取时间：
12纳秒： 3.3V + 10 ％
15纳秒： 2.5V - 3.6V
•高性能，低功耗的CMOS工艺
• CMOS低功耗运行
50毫瓦（典型值）工作电流
25
µ
W（典型值）待机电流
•多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
•
CE
掉电
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
??可用的软件包：
- 32引脚TSOP （ II型）
- 32针STSOP （I型）
- 48球miniBGA （ 6× 8毫米）
- 32引脚300mil的SOJ
•无铅可
描述
该
ISSI
IS63 / 64WV1024BLL是一个非常高速，低
电力， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。该
IS63 / 64WV1024BLL使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计
技术，产量更高的性能和低功耗
消费设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到25 μW （典型值）， CMOS输入电平。
在IS63 / 64WV1024BLL从单一的V操作
DD
电源。在IS63 / 64WV1024BLL是可用
32脚TSOP （II型） ， 32针sTSOP （I型） ， 48球
miniBGA （ 6× 8毫米）和32引脚SOJ （ 300密耳）
包。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
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控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
05/10/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
