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DSI75-12B 参数 Datasheet PDF下载

DSI75-12B图片预览
型号: DSI75-12B
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内容描述: 整流二极管雪崩二极管 [Rectifier Diode Avalanche Diode]
分类和应用: 整流二极管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号DSI75-12B的Datasheet PDF文件第2页  
DS 75
DSA 75
DSI 75
DSAI 75
整流器器二极管
雪崩二极管
V
RRM
= 800-1800 V
I
F( RMS )
= 160 A
I
F( AV )M
= 110 A
V
RSM
V
900
1300
1300
1700
1900
V
( BR )分
ÿ
x
V
RRM
V
-
-
1300
1760
1950
V
800
1200
1200
1600
1800
阳极
螺柱
DS 75-08B
DS 75-12B
DSA 75-12B
DSA 75-16B
DSA 75-18B
阴极
螺柱
DSI 75-08B
DSI 75-12B
DSAI 75-12B
DSAI 75-16B
DSAI 75-18B
DO- 203 AB
C
A
DS
DSA
A
C
DSI
DSAI
x
只为雪崩二极管
1/4-28UNF
A =阳极
C =阴极
符号
I
F( RMS )
I
F( AV )M
P
RSM
I
FSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
= 100 ℃; 180 °正弦波
DSA ( I)型,T
VJ
= T
VJM
, t
p
= 10
ms
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
160
110
20
1400
1500
1250
1310
9800
9450
7820
7210
-40...+180
180
-40...+180
A
A
kW
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
°C
°C
°C
Nm
lb.in.
g
特点
国际标准封装,
JEDEC DO- 203 AB ( DO - 5 )
平面glassivated芯片
q
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
应用
大功率整流器
场供应直流电机
电源
q
q
q
q
q
q
T
VJ
T
VJM
T
英镑
M
d
重量
安装力矩
q
优势
空间和减轻重量
安装简单
提高温度和功率
循环
降低保护电路
2.4-4.5
21-40
21
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
符号
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
I
F
= 150 A;牛逼
VJ
= 25°C
特征值
£
£
6
1.17
0.75
2
0.5
0.9
4.05
3.9
100
mA
V
V
mW
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
= T
VJM
直流电流
直流电流
表面爬电距离
通过空袭距离
马克斯。允许加速
根据IEC 60747数据
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
744
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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