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IRFP360 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFP360
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内容描述: MegaMOS FET [MegaMOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 50 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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Megamos
TM
FET
IRFP 360
V
DSS
= 400 V
= 23 A
I
D25
R
DS ( ON)
= 0.20
N沟道增强模式
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D100
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1.0 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
400
400
±20
±30
23
14
92
23
30
5
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
V / ns的
D( TAB )
的TO- 247的AD
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
°C
特点
安装力矩
1.13/10
6
300
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
符号
测试条件
快速开关时间
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
通勤高dv / dt的评价
应用
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
400
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
250
0.20
V
V
nA
µA
µA
优势
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250 µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 14A
脉冲测试,T
300微秒,占空比ð
2%
直流斩波器
电机控制
开关模式和谐振模
不间断电源( UPS )
节省空间
高功率密度
易与1螺钉安装(隔离
安装螺纹孔)
这些数据反映了从工程地段的客观技术指标和定性数据。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
95509A (4/95)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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