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IRFP470 参数 Datasheet PDF下载

IRFP470图片预览
型号: IRFP470
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内容描述: N沟道增强型场效应管MegaMOS [N-Channel Enhancement Mode MegaMOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 50 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IRFP470的Datasheet PDF文件第2页  
Megamos
TM
FET
IRFP 470
V
DSS
= 500 V
I
D(续)
= 24 A
R
DS ( ON)
= 0.23
N沟道增强模式
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
24
96
24
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
的TO- 247的AD
D( TAB )
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
300
g
°C
特点
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
高换向dv / dt额定值
快速开关时间
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
250
0.23
V
V
nA
µA
µA
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源( UPS )
直流斩波器
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
优势
易与1个螺丝安装
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
92605E(5/97)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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