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IXBD4411PI图片预览
型号: IXBD4411PI
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内容描述: ISOSMART半桥驱动器芯片组 [ISOSMART Half Bridge Driver Chipset]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 11 页 / 705 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXBD4410
IXBD4411
ISOSMART
TM
半桥驱动器芯片组
TYPE
描述
温度范围
IXBD4410PI
IXBD4411PI
IXBD4410SI
IXBD4411SI
全功能的低侧驱动器16引脚P- DIP
全功能的高边驱动器16引脚P- DIP
全功能的低边驱动器的16引脚SO
全功能的高边驱动器的16引脚SO
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
该IXBD4410 / IXBD4411 ISOSMART
芯片组的目的是控制栅极
两个功率MOSFET或电源
被连接在一个半的IGBT
桥(相桥臂)配置
驱动多相电动机,或用于
在需要半桥应用
电源电路。该IXBD4410 /
IXBD4411是一个全功能的芯片组
由两个16引脚DIP或SO
设备接口和隔离两
小信号铁氧体脉冲变压器。
小信号变压器提供
比1200 V隔离度。
即使整流噪声用环境
大于
±50
V / ns的和高达1200 V
势,这款芯片组而设置
无差错的双向通信
系统地基准之间
IXBD4410和逆变器输出 -
参考IXBD4411 。他们结合
欠电压V
DD
或V
EE
锁定和
过流或过饱和关闭
为了保护IGBT或功率MOSFET
从损坏的设备。
该芯片组提供了必要的
栅极驱动信号,以完全控制
接地源的低侧功率
装置以及浮源
高侧功率器件。另外,
在IXBD4410 / 4411芯片组,提供了一个
负向,关断状态的栅极驱动器
信号为改善关断IGBT的或
功率MOSFET和系统逻辑电
兼容状态故障输出FLT到
显示过电流或饱和度,
和欠压V
DD
或V
EE
。在一
故障状态,无论是芯片组保持
各栅极驱动输出关闭;在
V
EE
.
特点
1200 V或更高低到高边
隔离。
驱动器电源系统上运行
高达575 V交流电源
大于的dv / dt抗扰性
±50V/ns
专有低到高侧水平
翻译和沟通
片上负栅极驱动电源
为确保功率MOSFET或IGBT
关闭并防止噪音门
干扰
5 V逻辑兼容输入HCMOS
与迟滞
可在任的16引脚DIP或
16引脚宽体小外形
塑料包装
20 ns的开关时间为1000 pF的
负荷; 100 ns的开关时间
万pF负载
100 ns传播延迟时间
2峰值输出驱动能力
输出的响应的自关断
到过电流或短路
欠压和过电压V
DD
锁定保护
防止交叉传导
半桥
逻辑兼容故障指示
由低和高侧驱动器
应用
540 V-
1或3相电机控制
开关模式电源
( SMPS)的
不间断电源
( UPS )
感应加热和焊接
系统
开关放大器
一般的电源转换电路
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有©2004 IXYS所有权利。
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