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IXEH40N120D1 参数 Datasheet PDF下载

IXEH40N120D1图片预览
型号: IXEH40N120D1
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内容描述: NPT3 IGBT [NPT3 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 82 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
不扩散核武器条约
3
IGBT
I
C25
= 60 A
= 1200 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.4 V
C
C
的TO- 247的AD
G
E
G
E
G
C
E
C( TAB )
IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
=
±
15 V ; ř
G
= 39
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900V; V
GE
=
±
15 V ; ř
G
= 39
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
60
40
50
V
CES
10
300
µs
W
V
V
A
A
A
特点
¼ NPT
3
IGBT
- 低饱和电压
- 正温度系数
简单的并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
在谐振电路的性能
•可选HiPerFRED
TM
二极管
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
• TO- 247封装
- 行业标准大纲
- 环氧符合UL 94V- 0
应用
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.4
2.8
4.5
0.4
200
85
50
440
50
6.1
3.0
2
250
3.0
6.5
0.4
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.42 K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
I
C
= 40 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 1毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
•交流驱动器
•直流驱动器和斩波器
•不间断电源(UPS )
•开关模式和谐振模式
电源
•感应加热,电饭锅
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 40 A
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 39
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 25 A
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