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    IXFB38N100Q2 参数 Datasheet PDF下载

    IXFB38N100Q2图片预览
    型号： IXFB38N100Q2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET TM功率MOSFET [HiPerFET TM Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 126 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFB38N100Q2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFB38N100Q2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFB38N100Q2的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    IXFB38N100Q2
    N沟道增强模式
    额定雪崩，低Q
    g
    ，低的固有ř
    g
    高dv / dt ，低吨
    rr
    V
    DSS
    = 1000 V
    I
    D25
    =
    38 A
    R
    DS （ ON）
    = 0.25
    Ω
    t
    rr
    ≤
    300纳秒
    PLUS 264
    TM
    （ IXFB ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    F
    c
    重量
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    安装力
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    1000
    1000
    ±
    30
    ±
    40
    38
    152
    38
    60
    5.0
    20
    890
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    G
    D
    S
    （ TAB ）
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    特点
    双金属工艺的低门
    阻力
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    快速内在整流器
    应用
    DC- DC转换器
    开关模式和谐振模
    电源，开关>500kHz
    直流斩波器
    脉冲产生
    激光驱动器
    优势
    PLUS 264
    TM
    包夹子或弹簧
    MOUNTING
    节省空间
    高功率密度
    30 ... 120 / 7.5 ... 27 N /磅
    10
    g
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1000
    2.5
    V
    5.5 V
    ±
    200 nA的
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    50
    μA
    3毫安
    0.25
    Ω
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±
    30 V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    注1
    版权所有©2005 IXYS所有权利
    DS98949E(09/05)

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