IXFB50N80Q2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IXFB50N80Q2
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内容描述：	HiPerFET功率MOSFET Q系列 [HiPerFET Power MOSFETs Q-Class]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 213 K
品牌：	IXYS [ IXYS CORPORATION ]

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，低的固有ř

高dv / dt ，低吨

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料机身10秒

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

, V

≤

DSS

, T

≤

150°C

= 25°C

IXFB50N80Q2

DSS

D25

DS （ ON）

≤

800V

50A

160mΩ

Ω

300ns

PLUS264

最大额定值

800

200

1135

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

V / ns的

°C

特点

双金属工艺的低门

阻力

额定雪崩

低封装电感

快速内在整流器

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

应用

开关模式和谐振模

电源开关>500kHz

DC- DC转换器

直流斩波器

脉冲产生

激光驱动器

TAB

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

= ± 30V, V

= 0V

= V

DSS

, V

= 0V

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

800

3.0

5.5

±200 nA的

50 µA

3毫安

160 mΩ

= 10V ，我

= 0.5 • I

D25

注意1

DS99005D(01/10)

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