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IXFB60N80P 参数 Datasheet PDF下载

IXFB60N80P图片预览
型号: IXFB60N80P
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内容描述: PolarHV HiPerFET功率MOSFET [PolarHV HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 166 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFB 60N80P
V
DSS
= 800 V
I
D25
=
60 A
R
DS ( ON)
140 mΩ
250纳秒
t
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25° C
最大额定值
800
800
±30
±40
60
150
30
100
5
20
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅
g
PLUS264
TM
( IXFB )
G
( TAB )
D
S
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
l
l
国际标准封装
快恢复二极管
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力
300
260
30..120/7.5...2.7
10
优势
l
l
l
PLUS 264
TM
包夹子或弹簧
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
3.0
5.0
±200
25
3000
140
V
V
nA
µA
µA
m
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
注意1
©2006 IXYS所有权利
DS99560E(02/06)