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    IXFB80N50Q2 参数 Datasheet PDF下载

    IXFB80N50Q2图片预览
    型号： IXFB80N50Q2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET Q系列 [HiPerFET Power MOSFETs Q-Class]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 169 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFB80N50Q2的Datasheet PDF文件第2页  
    高级技术信息
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    Q系列
    N沟道增强模式
    额定雪崩，
    低Q
    g
    ，低的固有ř
    g
    高dv / dt ，
    LOW吨
    rr
    IXFB 80N50Q2
    V =
    DSS
    I
    D25
    =
    R
    DS （ ON）
    =
    t
    rr
    ≤
    500 V
    80 A
    55 mΩ
    Ω
    250纳秒
    PLUS 264
    TM
    （ IXFB ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    500
    500
    ±30
    ±40
    80
    320
    80
    60
    5.0
    20
    890
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    G
    D
    S
    （ TAB ）
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    特点
    双金属工艺的低门
    阻力
    ●
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    ●
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    ●
    快速内在整流器
    ●
    应用
    ●
    ●
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    500
    3.0
    V
    DC- DC转换器
    开关模式和谐振模
    电源，开关>500kHz
    ●
    直流斩波器
    ●
    脉冲产生
    ●
    激光驱动器
    优势
    ●
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    注1
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    5.0 V
    ±200
    nA
    100
    µA
    5毫安
    55 mΩ
    ●
    ●
    PLUS 264
    TM
    包夹子或弹簧
    MOUNTING
    节省空间
    高功率密度
    版权所有©2002 IXYS所有权利。
    DS98958 （ 10/02 ）

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