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    IXFH13N50 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH13N50图片预览
    型号： IXFH13N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 85 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH13N50的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXFH13N50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH13N50的Datasheet PDF文件第4页  
    IXFH 13N50
    IXFH 13N50
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    7.5
    9.0
    2800
    V
    GS
    = 0 V, V
    DS
    = 25 V ， F = 1兆赫
    300
    70
    18
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 0.5 • V
    DSS
    ,
    I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    , R
    G
    = 4.7
    W
    （外部）
    27
    76
    32
    110
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 0.5 • V
    DSS
    , I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    15
    40
    30
    40
    100
    60
    120
    25
    50
    0.7
    0.25
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    K / W
    K / W
    暗淡。毫米
    分钟。马克斯。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    19.81 20.32
    20.80 21.46
    15.75 16.26
    3.55 3.65
    4.32 5.49
    5.4
    6.2
    1.65 2.13
    -
    4.5
    1.0
    1.4
    10.8 11.0
    4.7
    0.4
    5.3
    0.8
    英寸
    分钟。马克斯。
    0.780 0.800
    0.819 0.845
    0.610 0.640
    0.140 0.144
    0.170 0.216
    0.212 0.244
    0.065 0.084
    -
    0.177
    0.040 0.055
    0.426 0.433
    0.185 0.209
    0.016 0.031
    0.087 0.102
    AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    G（ ON）的
    Q
    gs
    Q
    gd
    R
    thJC
    R
    thCK
    V
    DS
    = 10 V ;我
    D
    = 0.5 I
    D25
    ，脉冲测试
    源极 - 漏极二极管
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    RM
    I
    RM
    I
    F
    = I
    S
    -di / DT = 100 A / MS ，
    V
    R
    = 100 V
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    13
    52
    1.5
    250
    350
    0.6
    1.25
    9
    15
    A
    A
    V
    ns
    ns
    mC
    mC
    A
    A
    J
    K
    L
    M
    N
    1.5 2.49
    重复;脉冲宽度限制T
    JM
    I
    F
    = I
    S
    , V
    GS
    = 0 V,
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
    DIM 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    Q
    R
    毫米
    分钟。马克斯。
    38.61 39.12
    19.43 19.94
    6.40 9.14
    0.97 1.09
    1.53 2.92
    30.15 BSC
    10.67 11.17
    5.21 5.71
    16.64 17.14
    11.18 12.19
    3.84 4.19
    25.16 25.90
    英寸
    分钟。马克斯。
    1.520 1.540
    - 0.785
    0.252 0.360
    0.038 0.043
    0.060 0.115
    1.187 BSC
    0.420 0.440
    0.205 0.225
    0.655 0.675
    0.440 0.480
    0.151 0.165
    0.991 1.020
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
    4,835,592
    4,881,106
    5,017,508
    5,049,961
    5,187,117
    5,486,715
    4,850,072
    4,931,844
    5,034,796
    5,063,307
    5,237,481
    5,381,025
    2-4

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