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    IXFH14N100Q2 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH14N100Q2图片预览
    型号： IXFH14N100Q2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式额定雪崩，低的Qg低RG ，高dv / dt ，低反向恢复时间trr [N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 565 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH14N100Q2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH14N100Q2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH14N100Q2的Datasheet PDF文件第4页  
    先进的技术参数
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，
    低Q
    g
    低R
    g
    ，高dv / dt ，低吨
    rr
    IXFH14N100Q2
    V
    DSS
    =
    =
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    =
    t
    rr
    ≤
    300纳秒
    1000 V
    14 A
    0.90
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    1000
    1000
    ±30
    ±40
    14
    56
    14
    50
    2.5
    20
    500
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    G =门
    S =源
    TAB =漏
    特点
    双金属工艺的低门
    阻力
    国际标准封装
    环氧符合UL 94 V - 0可燃性
    分类
    低R
    DS （ ON）
    ,
    低Q
    g
    雪崩能量和额定电流
    快速内在整流器
    应用
    DC- DC转换器
    开关模式和谐振模
    电源，开关>500kHz
    直流斩波器
    脉冲产生
    激光驱动器
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装力矩
    300
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    6
    g
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1000
    3.0
    5.0
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    25
    1
    0.90
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
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    DS99073(08/03)

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