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IXFH14N80 参数 Datasheet PDF下载

IXFH14N80图片预览
型号: IXFH14N80
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 103 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH14N80
IXFH15N80
I
D25
R
DS ( ON)
0.70
W
0.60
W
800 V一14
800 V, 15 A
t
rr
£
250纳秒
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
14N80
15N80
14N80
15N80
14N80
15N80
14
15
56
60
14
15
30
5
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
的TO- 247的AD
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°C
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
g
应用
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DSS
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
0.096
2.0
-0.214
±100
250
1
0.70
0.60
4.5
V
%/K
V
%/K
nA
mA
mA
W
W
优势
易与1个螺丝安装
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
低电压继电器
14N80
15N80
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
96523B (3/98)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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