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IXFH150N15P 参数 Datasheet PDF下载

IXFH150N15P图片预览
型号: IXFH150N15P
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内容描述: PolarHT⑩ HiPerFET功率MOSFET [PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 110 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFH 150N15P
IXFK 150N15P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
110
100
90
80
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
175
I
D
- 安培
150
125
100
75
50
25
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
T
J
= 150
º
C
25
º
C
-40
º
C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
T
J
= -40
º
C
25
º
C
150
º
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源Curre与新台币
来源 - 要 - 漏极电压
350
300
250
10
9
8
V
DS
= 75V
I
D
= 75A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
7
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
º
C
T
J
= 25
º
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作是一个
1000
T
J
= 175
º
C
T
C
= 25
º
C
25µs
图。 11.电容
100,000
F = 1MHz的
R
DS ( ON)
极限
电容 - 皮法
10,000
C
国际空间站
I
D
- 安培
C
OSS
1,000
100
1ms
10ms
100µs
C
RSS
DC
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
ð S
- 伏特