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IXFH110N10P 参数 Datasheet PDF下载

IXFH110N10P图片预览
型号: IXFH110N10P
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内容描述: PolarHT HiPerFET功率MOSFET [PolarHT HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 308 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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PolarHT
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
快速内在二极管
额定雪崩
IXFH 110N10P
IXFV 110N10P
IXFV 110N10PS
V
DSS
= 100 V
I
D25
= 110 A
R
DS ( ON)
15 mΩ
t
rr
150纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
D( RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃〜175 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25° C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
T
C
= 25° C
最大额定值
100
100
±20
±30
110
75
250
60
40
1.0
10
480
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 247 ( IXFH )
G
D
S
( TAB )
PLUS220 ( IXFV )
G
D
S
D( TAB )
PLUS220SMD ( IXFV ... S)
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
TO-247
PLUS220
(TO-247)
(PLUS220)
300
260
G
S
G =门
S =源
D( TAB )
D =漏
TAB =漏
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65 / 2.5..15
6
4
N /磅
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 150° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
2.5
5.0
±100
25
250
15
V
V
nA
µA
µA
m
特点
l
快速内在二极管
l
国际标准封装
l
非钳位感应开关( UIS)
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
l
节省空间
l
高功率密度
l
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
©2006 IXYS所有权利
DS99212E(01/06)