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    IXFH26N50P 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH26N50P图片预览
    型号： IXFH26N50P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 额定雪崩禀快速二极管 [Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 211 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH26N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH26N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH26N50P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFH26N50P的Datasheet PDF文件第5页  
    PolarHV
    TM
    功率MOSFET
    额定雪崩
    禀快速二极管
    初步数据表
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    F
    C
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    IXFH 26N50P
    IXFV 26N50P
    IXFV 26N50PS
    V
    DSS
    I
    D25
    t
    rr
    R
    DS （ ON）
    =
    =
    ≤
    ≤
    500 V
    26 A
    230 mΩ
    Ω
    200纳秒
    最大额定值
    500
    500
    ±
    30
    ±
    40
    26
    78
    26
    40
    1.0
    10
    400
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    °C
    TO- 247 （ IXFH ）
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续的
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 4
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    D（ TAB ）
    PLUS220 （ IXFV ）
    G
    D
    S
    D（ TAB ）
    PLUS220SMD （ IXFV_S ）
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    塑体
    安装力矩
    安装力
    (TO-247)
    (PLUS220SMD)
    300
    260
    G
    S
    G =门
    S =源
    D（ TAB ）
    D =漏
    TAB =漏
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    11..65/2.5..15
    6
    5
    N /磅
    g
    g
    TO-3P
    PLUS220 & PLUS220SMD
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 125°C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    500
    3.0
    5.0
    ±100
    25
    250
    230
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    mΩ
    特点
    国际标准封装
    快速内在二极管
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    版权所有©2005 IXYS所有权利
    DS99276A(09/05)

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