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    IXFH26N50Q 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH26N50Q图片预览
    型号： IXFH26N50Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 135 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH26N50Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH26N50Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH26N50Q的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    Q系列
    N沟道增强模式
    额定雪崩，低Q
    g
    ，高dv / dt
    V
    DSS
    IXFH / IXFT 24N50Q
    IXFH / IXFT 26N50Q
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    0.23
    Ω
    0.20
    Ω
    500 V
    24 A
    500 V
    26 A
    t
    rr
    ≤
    250纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，注1
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    24N50
    26N50
    24N50
    26N50
    24N50
    26N50
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    ±30
    24
    26
    96
    104
    24
    26
    30
    1.5
    5
    300
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °
    C
    °
    C
    °
    C
    °
    C
    纳米/ lb.in 。
    g
    g
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
    G
    S
    （ TAB ）
    G =门，
    S =源，
    D =排水，
    TAB =漏
    特点
    l
    l
    l
    l
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装力矩
    TO-247
    TO-268
    测试条件
    300
    1.13/10
    6
    4
    IXYS先进的低Q
    g
    过程
    国际标准封装
    低R
    DS （ ON）
    符号
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    500
    2.5
    4.5
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    24N50Q
    26N50Q
    25
    1
    0.23
    0.20
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    Ω
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    l
    快速开关
    l
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    注2
    成型环氧符合UL 94 V- 0
    易燃性分类科幻阳离子
    优势
    l
    l
    l
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    版权所有©2001 IXYS所有权利。
    98512G (5/01)

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