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    IXFH26N60Q 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH26N60Q图片预览
    型号： IXFH26N60Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFETTM功率MOSFET Q系列 [HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 109 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH26N60Q的Datasheet PDF文件第2页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    Q系列
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低Q
    g
    IXFH 26N60Q
    IXFT 26N60Q
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 600 V
    =
    26 A
    = 0.25
    Ω
    t
    rr
    ≤
    250纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    26
    104
    26
    45
    1.5
    5
    360
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
    G
    S
    （ TAB ）
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装力矩
    TO-247
    TO-247
    TO-268
    300
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    6
    4
    g
    g
    特点
    l
    l
    l
    l
    l
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    600
    2.5
    4.5
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    25
    1
    0.25
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    l
    l
    低栅电荷
    国际标准封装
    环氧符合UL 94 V - 0可燃性
    分类
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    雪崩能量和额定电流
    快速内在整流器
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    优势
    l
    l
    l
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    版权所有©2002 IXYS所有权利。
    98635D (6/02)

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