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    IXFH26N50 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH26N50图片预览
    型号： IXFH26N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 159 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH26N50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH26N50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH26N50的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    功率MOSFET
    TM
    V
    DSS
    IXFH/IXFM21N50
    IXFH/IXFM/IXFT24N50
    IXFH/IXFT26N50
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    N沟道增强模式
    高dv / dt ，低吨
    rr
    ， HDMOS
    TM
    家庭
    500 V 21 0.25
    Ω
    500 V 24 0.23
    Ω
    500 V 26 0.20
    Ω
    t
    rr
    ≤
    250纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    21N50
    24N50
    26N50
    21N50
    24N50
    26N50
    21N50
    24N50
    26N50
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    ±30
    21
    24
    26
    84
    96
    104
    21
    24
    26
    30
    5
    300
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    TO- 268 （ D3 ）机箱样式
    G
    S
    TO- 204 AE （ IXFM ）
    （ TAB ）
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    D
    G =门，
    S =源，
    D =排水，
    TAB =漏
    G
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    安装力矩
    300
    1.13/10
    TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
    特点
    •国际标准封装
    •低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    •坚固的多晶硅栅单元结构
    •非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    •低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    •快速内在整流器
    应用
    • DC-DC变换器
    •同步整流
    •电池充电器
    •开关模式和谐振模式
    电源
    •直流斩波器
    •AC电机控制
    •温度和照明控制
    •低电压继电器
    优势
    •易于使用1螺口（ TO- 247 ）
    （隔绝安装螺纹孔）
    •高功率表面贴装封装
    •高功率密度
    91525H (9/99)
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    500
    2
    4
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    200
    1
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    版权所有©1999 IXYS所有权利。

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