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    IXFH30N50 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH30N50图片预览
    型号： IXFH30N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 113 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH30N50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH30N50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH30N50的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    高dv / dt ，低吨
    rr
    ， HDMOS
    TM
    家庭
    V
    DSS
    IXFH / IXFT 30N50
    IXFH / IXFT 32N50
    500 V
    500 V
    I
    D25
    30 A
    32 A
    R
    DS （ ON）
    0.16
    W
    0.15
    W
    t
    rr
    £
    250纳秒
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AS
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    D
    = 25°C
    I
    S
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    ±30
    30N50
    32N50
    30N50
    32N50
    30N50
    32N50
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    V
    30
    32
    120
    128
    30
    32
    1.5
    45
    5
    360
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    D（ TAB ）
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    J
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    g
    TO- 268 （ D3 ）机箱样式
    G
    S
    G =门，
    S =源，
    （ TAB ）
    D =排水，
    TAB =漏
    特点
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    安装力矩
    300
    1.13/10
    6
    •
    •
    •
    •
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    500
    0.102
    2
    -0.206
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    200
    1
    0.15
    0.16
    4
    V
    %/K
    V
    %/K
    nA
    mA
    mA
    W
    W
    国际标准封装
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    •
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    •
    快速内在二极管
    应用
    V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DSS
    温度COEF网络cient
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS （ TH）
    温度COEF网络cient
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 15A
    •
    DC- DC转换器
    •
    电池充电器
    •
    开关模式和谐振模
    电源
    •
    直流斩波器
    •
    交流电动机的控制
    •
    温度和照明控制
    优势
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    32N50
    30N50
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    •
    易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
    （隔绝安装螺纹孔）
    •
    节省空间
    •
    高功率密度
    97518H (6/99)
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-4

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