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IXFH40N50Q2 参数 Datasheet PDF下载

IXFH40N50Q2图片预览
型号: IXFH40N50Q2
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 558 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩,
低Q
g
低R
g
,高dv / dt ,低吨
rr
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米(以0.063 )
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFH40N50Q2
V
DSS
= 500 V
=
40 A
I
D25
R
DS ( ON)
= 0.16
t
rr
250纳秒
最大额定值
500
500
±30
±40
40
160
40
50
2.5
20
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
特点
双金属工艺的低门
阻力
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS ( ON)
,
低Q
g
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
开关模式和谐振模
电源,开关>500kHz
直流斩波器
脉冲产生
激光驱动器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2.5
5.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
1
0.16
V
V
nA
µA
mA
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
版权所有©2004 IXYS所有权利。
DS98970C(04/04)