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    IXFH44N50P 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH44N50P图片预览
    型号： IXFH44N50P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PolarHV HiPerFET功率MOSFET [PolarHV HiPerFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 295 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH44N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH44N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH44N50P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFH44N50P的Datasheet PDF文件第5页  
    PolarHV
    TM
    HiPerFET
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩
    快速内在二极管
    IXFH 44N50P
    IXFK 44N50P
    IXFT 44N50P
    V
    DSS
    I
    D25
    t
    rr
    R
    DS （ ON）
    = 500 V
    = 44 A
    ≤
    140 mΩ
    Ω
    ≤
    200纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSM
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    T
    出售
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至175 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃〜175 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    短暂
    连续
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25 ℃，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25° C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 10
    Ω
    T
    C
    = 25° C
    最大额定值
    500
    500
    ±40
    ±30
    44
    110
    44
    55
    1.7
    10
    650
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    °C
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    TO- 264 （ IXFK ）
    G
    D
    S
    （ TAB ）
    TO- 268 （ IXFT ）
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    塑料外壳10秒
    安装扭矩（ TO- 247 ）
    TO-247
    TO-268
    TO-264
    300
    260
    G
    S
    （ TAB ）
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    6
    5
    10
    g
    g
    g
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    特点
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ℃，除非另有规定）
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 125° C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    500
    3.0
    5.0
    ±10
    25
    500
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    优势
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    国际标准封装
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    140 mΩ
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    ©2006 IXYS所有权利
    DS99366E(03/06)

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