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IXFH69N30P 参数 Datasheet PDF下载

IXFH69N30P图片预览
型号: IXFH69N30P
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内容描述: 极地HiPerFET功率MOSFET [Polar HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 149 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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POLAR
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
IXFH69N30P
IXFT69N30P
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS ( ON)
=
=
300V
69A
49mΩ
200ns
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米( 0.063in )从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 247 )
TO-247
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
300
300
± 20
± 30
69
200
69
1.5
20
500
-55到+150
+150
-55到+150
300
260
1.13/10
6
4
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
TO- 247 ( IXFH )
G
D
S
D( TAB )
TO- 268 ( IXFT )
G
S
D( TAB )
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
和Q
G
低封装电感
优势
高功率密度
易于安装
节省空间
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
300
2.5
5.0
V
V
±100 nA的
25 µA
250 µA
49 mΩ
应用
的DC-DC Coverters
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
AC和DC马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
©2009 IXYS公司,版权所有
DS99220F(10/09)