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IXFH76N07-11 参数 Datasheet PDF下载

IXFH76N07-11图片预览
型号: IXFH76N07-11
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 82 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH 76 N06-11
IXFH 76 N06-12
IXFH 76 N07-11
IXFH 76 N07-12
60 V
60 V
70 V
70 V
I
D25
76 A
76 A
76 A
76 A
R
DS ( ON)
11毫瓦
12毫瓦
11毫瓦
12毫瓦
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D119
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃〜175 ℃; ř
GS
= 10千瓦
连续
短暂
T
C
T
C
T
C
T
C
= 25 ° C(芯片能力= 125 A)
= 119℃ ,受外部引线
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
= 25°C
N06
N07
N06
N07
最大额定值
60
70
60
70
±20
±30
76
76
304
100
30
2
5
360
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
的TO- 247的AD
( TAB )
G =门,
S =源,
特点
q
D =排水,
TAB =漏
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
q
W
°C
°C
°C
°C
g
q
q
q
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
6
q
国际标准套餐
JEDEC TO- 247 AD
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
1.15 / 10牛米/ lb.in 。
应用
q
q
q
q
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
N06
N07
60
70
2.0
V
V
V
nA
mA
mA
mW
mW
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
q
q
q
3.4
±100
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
500
11
12
优势
q
76 N06/N07-11
76 N06/N07-12
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
q
q
易与1个螺丝安装
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
92785H (12/98)
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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