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    IXFH80N15Q 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH80N15Q图片预览
    型号： IXFH80N15Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET Q系列 [HiPerFET Power MOSFETs Q-Class]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 127 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH80N15Q的Datasheet PDF文件第2页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    Q系列
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低Q
    g
    初步数据表
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装力矩
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    IXFH 80N15Q
    IXFK 80N15Q
    IXFT 80N15Q
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    t
    rr
    = 150
    V
    = 80
    A
    = 22.5
    mW
    £
    200
    ns
    最大额定值
    150
    150
    ±20
    ±30
    80
    320
    80
    45
    1.5
    5
    360
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    （ TAB ）
    的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
    G
    S
    （ TAB ）
    TO- 264 AA （ IXFK ）
    G
    D
    S
    D（ TAB ）
    TO-247
    TO-264
    TO-247
    TO-264
    TO-268
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    0.9 / 6牛米/ lb.in 。
    6
    10
    4
    g
    g
    g
    G =门
    S =源
    TAB =漏
    特点
    l
    l
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    150
    2.0
    4.0
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    25
    1
    V
    V
    nA
    mA
    mA
    l
    l
    l
    l
    l
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250微安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    低栅电荷
    国际标准封装
    环氧符合UL 94 V - 0可燃性
    分类
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    雪崩能量和额定电流
    快速内在整流器
    优势
    l
    l
    l
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    22.5 m
    W
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    98725 (05/31/00)

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