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IXFH9N80Q 参数 Datasheet PDF下载

IXFH9N80Q图片预览
型号: IXFH9N80Q
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET Q系列 [HiPerFET Power MOSFETs Q-Class]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 93 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXFH9N80Q的Datasheet PDF文件第2页  
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
雪崩额定的低Q
g
,高dv / dt
IXFH 9N80Q
IXFT 9N80Q
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 800 V
=
9A
= 1.1
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
9
36
9
20
700
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
AD TO- 247 ( IXFH )
的TO- 268 ( D3), ( IXFT )
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
特点
l
l
G
S
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米(以0.063 )
安装力矩
TO-247
TO-268
测试条件
300
1.13/10
6
4
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
800
3.0
5.0
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
1
1.1
V
V
nA
µA
mA
l
l
l
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
l
IXYS先进的低Q
g
过程
低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
国际标准封装
低R
DS ( ON)
非钳位感应开关( UIS)
评级
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有©1999 IXYS所有权利。
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