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    IXFH9N80 参数 Datasheet PDF下载

    IXFH9N80图片预览
    型号： IXFH9N80
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET - N沟道增强型高dv / dt ，低反向恢复时间trr ， HDMOSTM家庭 [HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 204 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFH9N80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH9N80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH9N80的Datasheet PDF文件第4页  
    初步数据表
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    V
    DSS
    I
    D25
    8A
    9A
    R
    DS （ ON）
    1.1Ω
    0.9Ω
    t
    rr
    250纳秒
    250纳秒
    IXFH8N80
    800V
    IXFH9N80
    800V
    N沟道增强模式
    高dv / dt ，低吨
    rr
    ， HDMOS
    TM
    家庭
    AD TO- 247 （ IXFH ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    重量
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    符号
    测试条件
    安装力矩
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    8N80
    9N80
    8N80
    9N80
    8N80
    9N80
    最大额定值
    800
    800
    ±20
    ±30
    8
    9
    32
    36
    8
    9
    18
    5
    180
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    特点
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    的TO- 247贴片*
    G
    D（ TAB ）
    S
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    *添加后缀字母"S"表面贴装
    包
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
    300
    °C
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    800
    0.088
    2
    -0.257
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    8N80
    9N80
    250
    1
    1.1
    0.9
    4.5
    V
    %/K
    V
    %/K
    nA
    µA
    mA
    Ω
    Ω
    国际标准封装
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    快速内在整流器
    应用
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 3毫安
    V
    DSS
    温度COEF网络cient
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 2.5毫安
    V
    GS （ TH）
    温度COEF网络cient
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    DC- DC转换器
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    直流斩波器
    交流电动机的控制
    温度和照明控制
    优势
    •
    •
    •
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    δ ≤
    2%
    易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
    （隔绝安装螺纹孔）
    节省空间
    高功率密度
    96527A (8/97)
    版权所有©1997 IXYS所有权利。

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