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    IXFK120N20P 参数 Datasheet PDF下载

    IXFK120N20P图片预览
    型号： IXFK120N20P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 极地HiPerFET功率MOSFET [Polar HiPerFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 129 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFK120N20P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFK120N20P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK120N20P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFK120N20P的Datasheet PDF文件第5页  
    POLAR
    TM
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩
    快速内在二极管
    IXFH120N20P
    IXFK120N20P
    R
    DS （ ON）
    ≤
    t
    rr
    ≤
    V
    DSS
    I
    D25
    =
    =
    200V
    120A
    22mΩ
    Ω
    200ns
    TO- 247 （ IXFH ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    LRMS
    I
    DM
    I
    A
    E
    AS
    P
    D
    dv / dt的
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    T
    出售
    M
    d
    重量
    1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
    塑料机身10秒
    安装力矩
    TO-247
    TO-264
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至175 ℃的
    T
    J
    = 25° C到175 ° C，R
    GS
    = 1MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    铅电流限制， RMS
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    , V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    , T
    J
    ≤
    175°C
    最大额定值
    200
    200
    ±
    20
    ±
    30
    120
    75
    300
    60
    2
    714
    10
    -55 ... +175
    175
    -55 ... +175
    300
    260
    1.13/10
    6
    10
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    J
    W
    V / ns的
    °C
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    g
    g
    G
    D
    S
    TAB
    TO- 264 （ IXFK ）
    G
    D
    S
    TAB
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    特点
    国际标准封装
    额定雪崩
    快速内在二极管
    低Q
    G
    低R
    DS （ ON）
    低漏 - 标签电容
    低封装电感
    优势
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±
    20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    DSS
    , V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 150°C
    特征值
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    200
    2.5
    5.0
    ±
    200
    25
    500
    V
    V
    nA
    μA
    μA
    易于安装
    节省空间
    应用
    的DC-DC Coverters
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    直流斩波器
    AC和DC马达驱动器
    不间断电源
    高速电源开关
    应用
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5 • I
    D25
    注意1
    22 mΩ
    © 20109 IXYS Corporation，保留所有权利
    DS99223F(02/10)

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