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IXFK120N25P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IXFK120N25P
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内容描述: Polar功率MOSFET HiperFET [Polar Power MOSFET HiPerFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 145 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快Intrisic二极管
IXFK120N25P
IXFX120N25P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
=
=
250V
120A
24mΩ
Ω
200ns
TO- 264 ( IXFK )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装力
安装力矩
PLUS247
TO-264
(PLUS247)
(TO-264)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
铅电流限制, RMS
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
250
250
±20
±30
120
75
300
60
2.5
10
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
20..120/4.5..27
1.13/10
6
10
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅。
纳米/ lb.in 。
g
g
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
( TAB )
G
D
S
( TAB )
PLUS247 ( IXFX )
特点
国际标准封装
快速内在二极管
额定雪崩
低封装电感
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
19
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
250
2.5
5.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
±200
nA
25
μA
250
μA
24 mΩ
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
©2009 IXYS公司,版权所有
DS99379F(5/09)