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IXFK170N10P 参数 Datasheet PDF下载

IXFK170N10P图片预览
型号: IXFK170N10P
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内容描述: 极地HiPerFET功率MOSFET [Polar HiperFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 140 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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POLAR
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在整流器
IXFH170N10P
IXFK170N10P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
= 100V
= 170A
9mΩ
Ω
150ns
TO- 247 ( IXFH )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1M
Ω
连续
短暂
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
100
100
± 20
± 30
170
160
350
60
2
10
715
-55到+175
+175
-55到+175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
G
G
D
S
TAB
TO- 264 ( IXFK )
D
S
TAB
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
快速内在整流器
额定雪崩
低R
DS ( ON)
和Q
G
低封装电感
优势
1.6毫米( 0.063in )从案例10秒
塑料机身10秒
安装力矩
TO-247
TO-264
300
260
1.13/10
6
10
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
V
GS
= 15V ,我
D
= 350A
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2.5
5.0
V
V
±100 nA的
25
μA
500
μA
7
9 mΩ
高功率密度
易于安装
节省空间
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
© 2010 IXYS公司,版权所有
DS99380F(01/10)