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IXFK24N100 参数 Datasheet PDF下载

IXFK24N100图片预览
型号: IXFK24N100
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内容描述: HiPerRF功率MOSFET [HiPerRF Power MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 101 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXFK24N100的Datasheet PDF文件第2页  
高级技术信息
HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级:兆赫切换
N沟道增强模式
额定雪崩,
低Q
g
,低的固有ř
g
高dv / dt ,
LOW吨
rr
IXFX 24N100F V
DSS
= 1000 V
IXFK 24N100F我
D25
=
24 A
R
DS ( ON)
= 0.39
t
rr
250纳秒
PLUS 247
TM
( IXFX )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
24
96
24
60
3.0
10
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
l
G
( TAB )
D
TO- 264 AA ( IXFK )
G
D
S
( TAB )
G =门
S =源
特点
l
l
D =漏
TAB =漏
l
0.4 / 6牛米/ lb.in 。
6
10
g
g
l
射频MOSFET的能力
双金属工艺的低门
阻力
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
3.0
V
5.5 V
±200
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
µA
3毫安
0.39
l
l
l
l
l
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
注1
DC- DC转换器
开关模式和谐振模
电源,开关>500kHz
直流斩波器
脉冲产生
激光驱动器
优势
l
l
l
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间
高功率密度
版权所有©2002 IXYS所有权利。
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