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    IXFK35N50 参数 Datasheet PDF下载

    IXFK35N50图片预览
    型号： IXFK35N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 42 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFK35N50的Datasheet PDF文件第2页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低吨
    rr
    V
    DSS
    IXFK33N50
    IXFK35N50
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    500 V 33 0.16
    W
    500 V 35 0.15
    W
    t
    rr
    £
    250纳秒
    初步数据
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AS
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    符号
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C,
    脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    I
    D
    = 32 A
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    33N50
    35N50
    33N50
    35N50
    33N50
    35N50
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    ±30
    33
    35
    132
    140
    30
    35
    2.5
    45
    5
    416
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    J
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    g
    TO- 264 AA
    G
    D
    S
    D（ TAB ）
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    特点
    ·
    国际标准封装
    ·
    成型环氧符合UL 94 V- 0
    易燃性分类科幻阳离子
    ·
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    ·
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    ·
    快速内在整流器
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装力矩
    300
    0.9/6
    10
    应用
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    500
    0.102
    2
    -0.206
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    200
    2
    0.16
    0.15
    4
    V
    %/K
    V
    %/K
    nA
    mA
    mA
    W
    W
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DSS
    温度COEF网络cient
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS （ TH）
    温度COEF网络cient
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 16.5A
    ·
    ·
    ·
    ·
    DC- DC转换器
    同步整流
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    ·
    直流斩波器
    ·
    温度和照明控制
    优势
    33N50
    35N50
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    ·
    易于安装
    ·
    节省空间
    ·
    高功率密度
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    97517D (07/00)
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-2

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