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IXFK38N80Q2 参数 Datasheet PDF下载

IXFK38N80Q2图片预览
型号: IXFK38N80Q2
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内容描述: N沟道增强模式额定雪崩,高dv / dt ,低Q值低的固有ř [N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 606 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q2-Class
IXFK 38N80Q2
IXFN 38N80Q2
IXFX 38N80Q2
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
=
=
=
800 V
38 A
220 mΩ
N沟道增强模式
额定雪崩,高dv / dt ,低Q
g
低的固有ř
g
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
F
C
重量
50 / 60赫兹, RMS T = 1分
I
ISOL
< 1毫安T = 1秒
安装力矩
终端扭矩
安装力
SOT-227B
TO-264
SOT-227B
PLUS-247
PLUS247
TO-264
SOT-227B
测试条件
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±30
±40
38
150
38
75
4.0
20
735
-55 ... +150
150
-55 ... +150
1.6毫米( 0.063in )的情况下, 10秒( Plus247 , TO- 264 ) 300
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
t
rr
250纳秒
PLUS 247
TM
( IXFX )
G
D
D( TAB )
TO- 264 AA ( IXFK )
G
D
S
D( TAB )
miniBLOC , SOT- 227 B( IXFN )
E153432
G
S*
S*
D
*任源终端可以用作
主要还是开尔文源终端
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
0.9 / 8牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ ib.in 。
22...130/5...30
g
10
30
N /磅
g
g
特点
双金属工艺的低门
阻力
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
与miniBLOC包版本
硝酸铝隔离
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99150A(09/04)
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
800
2.0
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
2
V
V
nA
µA
mA
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
220 mΩ
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