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IXFK48N50Q 参数 Datasheet PDF下载

IXFK48N50Q图片预览
型号: IXFK48N50Q
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内容描述: 的HiPer FET功率MOSFET Q- CLASS [HiPer FET Power MOSFETs Q-CLASS]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 51 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXFK48N50Q的Datasheet PDF文件第2页  
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
单个MOSFET模
N沟道增强模式
额定雪崩,低的Qg
高dv / dt ,低吨
rr
初步数据
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
IXFK / IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100毫瓦
IXFK / IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120毫瓦
t
rr
£
250纳秒
PLUS 247
TM
( IXFX )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
0.4/6
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
44N50
48N50
44N50
48N50
最大额定值
500
500
±20
±30
44
48
176
192
48
60
2.5
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
6
10
g
g
G =门
S =源
G
( TAB )
D
TO- 264 AA ( IXFK )
G
D
S
( TAB )
D =漏
TAB =漏
特点
• IXYS先进的低Q
g
过程
•低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
•国际标准封装
•低R
DS ( ON)
•额定松开感性负载
开关( UIS )额定
•成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
应用
• DC-DC变换器
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
•温度和照明控制
优势
• PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
•节省空间
•高功率密度
98612B (7/00)
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2.0
V
4.0 V
±100
nA
100
mA
2毫安
120毫瓦
100毫瓦
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
注1
T
J
= 125°C
44N50
48N50
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