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    IXFK90N30 参数 Datasheet PDF下载

    IXFK90N30图片预览
    型号： IXFK90N30
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 127 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFK90N30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFK90N30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK90N30的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    单个MOSFET模
    IXFX 90N30
    IXFK 90N30
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 300 V
    =
    90 A
    Ω
    =
    33 mΩ
    t
    rr
    ≤
    250纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    D104
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    = 25 ° C（ MOSFET芯片的能力）
    = 104 ° C（外部引线的能力）
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    = 25°C
    最大额定值
    300
    300
    ±20
    ±30
    90
    75
    360
    90
    64
    3
    5
    560
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    6
    10
    g
    g
    PLUS 247
    TM
    G
    （ TAB ）
    D
    TO- 264 AA （ IXFK ）
    G
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    D
    （ TAB ）
    S
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    安装力矩
    TO-264
    PLUS 247
    TO-264
    0.4/6
    300
    特点
    l
    国际标准封装
    l
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    l
    坚固的多晶硅栅单元结构
    l
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    l
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    l
    快速内在整流器
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    300
    2.0
    V
    4.0 V
    ±100
    nA
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    100
    µA
    2毫安
    33 mΩ
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 3毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    注1
    应用
    l
    DC- DC转换器
    l
    电池充电器
    l
    开关模式和谐振模
    电源
    l
    直流斩波器
    l
    交流电动机的控制
    l
    温度和照明控制
    优势
    PLUS 247
    TM
    包夹子或弹簧
    MOUNTING
    l
    节省空间
    l
    高功率密度
    l
    版权所有©2001 IXYS所有权利。
    98537A (12/01)

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