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    IXFN100N20 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN100N20图片预览
    型号： IXFN100N20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 115 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低吨
    rr
    符号
    测试条件
    V
    DSS
    IXFK 90 N 20
    IXFN 100 N 20
    IXFN 106 N 20
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    23毫瓦
    23毫瓦
    20毫瓦
    200 V
    90 A
    200 V 100 A
    200 V
    106 A
    t
    rr
    £
    200纳秒
    TO- 264 AA
    TO- 264 AA （ IXFK ）
    最大额定值
    IXFK
    IXFN
    IXFN
    90N20 100N20 106N20
    200
    200
    200 V
    200
    ±20
    ±30
    90
    
    76
    360
    50
    30
    5
    500
    200
    ±20
    ±30
    100
    -
    400
    50
    30
    5
    520
    150
    -55 ... +150
    200 V
    20 V
    20 V
    106 A
    A
    424 A
    A
    30兆焦耳
    5 V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    V~
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    D80
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25 ℃，芯片能力
    T
    C
    = 80℃ ，受限于外部引线
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    G
    D
    S
    （ TAB ）
    miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
    E153432
    S
    D
    G
    G
    S
    S
    S
    D
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    -55 ... +150
    或者可以使用在miniBLOC源终端
    作为主要或开尔文源
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    £
    1毫安
    T = 1分
    t=1s
    300
    -
    -
    0.9/6
    -
    10
    -
    2500
    3000
    安装力矩
    终端连接扭矩
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    30
    g
    特点
    国际标准封装
    JEDEC TO- 264 AA ，环氧见面
    UL 94 V - 0阻燃等级
    miniBLOC与氮化铝
    隔离
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    快速内在整流器
    l
    q
    q
    q
    q
    q
    q
    q
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    200
    2
    4
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    IXFK90N20
    IXFN100N20
    IXFN106N20
    400
    2
    0.023
    0.023
    0.020
    V
    V
    nA
    mA
    mA
    W
    W
    W
    V
    DSS
    V
    GH （日）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    应用
    DC- DC转换器
    同步整流
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    直流斩波器
    温度和照明控制
    低电压继电器
    q
    q
    q
    q
    q
    q
    q
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    q
    q
    q
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    92804H (7/97)
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-4

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