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    IXFN140N20P 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN140N20P图片预览
    型号： IXFN140N20P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PolarHT HiPerFET功率MOSFET [PolarHT HiPerFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 92 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN140N20P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN140N20P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN140N20P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN140N20P的Datasheet PDF文件第5页  
    PolarHT
    TM
    HiPerFET
    IXFN 140N20P
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    快速内在二极管
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    D（ RMS）
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    50/60赫兹， RMS 1分钟
    终端扭矩
    安装力矩
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至175 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃〜175 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    外部引线电流限制
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 4
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    200
    200
    ±20
    ±30
    115
    100
    280
    60
    100
    4
    10
    680
    -55 ... +175
    175
    -55 ... +150
    300
    2500
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    V
    DSS
    = 200 V
    I
    D25
    = 115 A
    R
    DS （ ON）
    ≤
    18 mΩ
    Ω
    t
    rr
    ≤
    150纳秒
    miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
    E153432
    S
    G
    S
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    G =门
    S =源
    D
    D =漏
    无论是源标签S能用于forsource
    电流或开尔文门的回报。
    特点
    国际标准套餐
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    快速内在二极管
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    30
    g
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 150°C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    200
    2.5
    5.0
    ±100
    25
    250
    18
    14
    V
    V
    nA
    μA
    μA
    mΩ
    mΩ
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 70 A
    V
    GS
    = 15 V，I
    D
    = 140A
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    μs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    ©2006 IXYS所有权利
    DS99245E(03/06)

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