欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    IXFN26N90 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN26N90图片预览
    型号： IXFN26N90
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 116 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN26N90的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN26N90的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN26N90的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    单芯片MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低吨
    rr
    快速内在二极管
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    ≤
    1mA
    安装力矩
    终端连接扭矩
    T = 1分
    T = 1秒
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25° C到150° C，R
    GS
    = 1MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    = 25°C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    = 25°C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    = 25°C
    = 25°C
    = 25°C
    = 25°C
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    IXFN25N90
    IXFN26N90
    900V
    900V
    25A
    26A
    330mΩ
    Ω
    300mΩ
    Ω
    最大额定值
    900
    900
    ±
    20
    ±
    30
    25N90
    25N90
    26N90
    26N90
    25N90
    26N90
    25
    100
    26
    104
    25
    26
    64
    3
    5
    600
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    2500
    3000
    1.5/13
    1.3/11.5
    30
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    V~
    纳米/ lb.in 。
    纳米/ lb.in 。
    g
    miniBLOC ， SOT- 227
    E153432
    S
    G
    S
    D
    G =门
    S =源
    D =漏
    任一源极端S能够被用作
    源端或开尔文源（门
    返回）端子。
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    , V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    , T
    J
    ≤
    150°C
    T
    C
    = 25°C
    特点
    国际标准套餐
    miniBLOC ，用氮化铝
    隔离
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    额定雪崩
    低封装电感
    快速内在二极管
    优势
    低栅极驱动要求
    高功率密度
    应用范围：
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    900
    3.0
    5.0
    ±
    200
    T
    J
    = 125°C
    25N90
    26N90
    V
    V
    nA
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 3毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±
    20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0V
    开关模式和谐振模
    电源
    DC- DC转换器
    电池充电器
    直流斩波器
    温度&照明控制
    100
    μA
    2毫安
    330 mΩ
    300 mΩ
    DS97526F(12/08)
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5 • I
    D25
    注意1
    © 2008 IXYS公司，保留所有权利。

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6