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IXFN280N085 参数 Datasheet PDF下载

IXFN280N085图片预览
型号: IXFN280N085
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 136 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
动力
MOSFET的单芯片
MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩,高dv / dt ,低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
d
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1mA
T = 1分
T = 1秒
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ℃,芯片能力
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
IXFN280N085
V
DSS
= 85V
= 280A
Ω
R
DS ( ON)
4.4mΩ
I
D25
最大额定值
85
85
±20
±30
280
200
1120
200
4
5
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
miniBLOC , SOT- 227 B
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准套餐
miniBLOC ,用氮化铝
隔离
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
额定雪崩
安装力矩
终端连接扭矩
保证FBSOA
低封装电感
快速内在整流器
优势
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
85
2.0
4.0
±200
T
J
= 125°C
100
2
4.4
V
V
nA
μA
mA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
GS
= 10V ,我
D
= 100A ,注1
© 2008 IXYS公司,保留所有权利。
DS98747B(12/08)