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IXFN340N07 参数 Datasheet PDF下载

IXFN340N07图片预览
型号: IXFN340N07
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内容描述: HiPerFET⑩功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 103 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩,高dv / dt ,低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ℃,芯片能力
终端电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
Ω
T
C
= 25°C
IXFN 340N07
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 70 V
= 340 A
Ω
=
4 mΩ
200纳秒
D
t
rr
G
S
S
最大额定值
70
70
±20
±30
340
100
1360
200
64
4
10
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC , SOT- 227 B( IXFN )
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准套餐
miniBLOC ,用氮化铝
隔离
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
快速内在整流器
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
70
2.0
4.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
4
V
V
nA
μA
mA
V
DSS
V
GH (日)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 100A
脉冲测试,T
300
μs,
占空比ð
2 %
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
线性电流调节器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS98547D(05/04)
版权所有©2004 IXYS所有权利。