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IXFN34N80 参数 Datasheet PDF下载

IXFN34N80图片预览
型号: IXFN34N80
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内容描述: HiPerFETTM功率MOSFET单DieMOSFET [HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单DieMOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩,高dv / dt ,低吨
rr
初步数据表
IXFN 34N80
D
V
DSS
= 800 V
I
D25
= 34 A
R
DS ( ON)
= 0.24
W
t
rr
£
250纳秒
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
34
136
34
64
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC , SOT- 227 B
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任miniBLOC的源终端可使用
作为主要或开尔文源
特点
·
国际标准封装
·
miniBLOC ,用氮化铝
·
·
·
·
·
从案例10秒1.6毫米(以0.063 )
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
£
1毫安
T = 1分
t=1s
300
2500
3000
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
隔离
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
快速内在整流器
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
800
0.096
3.0
-0.214
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
0.24
5.0
V
%/K
V
%/K
nA
mA
mA
W
应用
·
DC- DC转换器
·
电池充电器
·
开关模式和谐振模
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DSS
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
电源
·
直流斩波器
·
温度和照明控制
优势
·
易于安装
·
节省空间
·
高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
98529D (6/99)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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