IXFK 32N60
IXFK 36N60
初步数据
IXFN 32N60
IXFN 36N60
I
D25
R
DS （ ON）
0.18Ω
0.25Ω
t
rr
250ns
250ns
V
DSS
HiPerFET功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
TM
IXFK / FN 36N60 600V 36A
IXFK / FN 32N60 600V 32A
TO- 264 AA （ IXFK ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMST = 1分
I
ISOL
≤
1 MAT = 1秒
安装力矩
终端连接扭矩
-55 ...
300
-
-
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
IXFK IXFN
600
600
±20
±30
32N60 32
36N60 36
32N60 128
36N60 144
20
30
5
500
-55 ...
600
600
±20
±30
32
36
128
144
20
30
5
520
+150
150
+150
-
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
特点
•
国际标准封装
•
JEDEC TO- 264 AA ，环氧见面
UL 94 V - 0阻燃等级
•
miniBLOC与氮化铝
隔离
•
低R
HDMOS
TM
过程
DS （ ON）
•
坚固的多晶硅栅单元结构
•
非钳位感应开关（ UIS）
评级
•
低封装电感
•
快速内在整流器
应用
•
DC- DC转换器
•
同步整流
•
电池充电器
•
开关模式和谐振模
电源
•
直流斩波器
•
温度和照明控制
•
低电压继电器
优势
•
易于安装
•
节省空间
•
高功率密度
92807G (01/96)
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
G =门
S =源
G
D
S
D（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
D =漏
TAB =漏
在miniBLOC无论是来源端
可以用作主要或开尔文源
0.9/6 1.5/13
- 1.5/13
10
30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
2
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
400
2
0.18
0.25
V
V
nA
µA
mA
Ω
Ω
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
36N60
脉冲测试，T
≤
300
µs,
占空比
≤
2 % 32N60
©1996 IXYS公司。版权所有。
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
联系电话： 408-982-0700
传真： 408-496-0670
IXYS [ IXYS CORPORATION ]
