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IXFN48N60P 参数 Datasheet PDF下载

IXFN48N60P图片预览
型号: IXFN48N60P
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内容描述: PolarHV HiPerFET功率MOSFET [PolarHV HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 84 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
IXFN 48N60P
V
DSS
= 600 V
I
D25
= 40 A
R
DS ( ON)
140 mΩ
Ω
t
rr
200纳秒
最大额定值
600
600
±30
±40
40
110
48
70
2.0
10
625
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
V
V
V
G
miniBLOC , SOT- 227 B( IXFN )
E153432
S
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
特点
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
G =门
S =源
D =漏
D
S
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
Ω
T
C
= 25°C
任一源极端S能够被用作
源端或开尔文源(门
返回)端子。
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
50/60赫兹, RMS
T = 1分
I
ISOL
1毫安
t=1s
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
快恢复二极管
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.5
±200
25
1000
140
V
V
nA
μA
μA
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 4 A
脉冲测试,T
300
μs,
占空比ð
2 %
©2006 IXYS所有权利
DS99337E(03/06)